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ミニワッタ-PP(6BQ7A) その3

電源部に仮のアンプ部としてセメント抵抗で約50mA流れる様にして計測すると、どうしてもMOS-FET後の電圧が190Vを割ってしまう。何でかな~と思ったら、電源から供給される電圧がかなり低下して、208V位になっていた。なので、ゲート電圧を決める分圧抵抗の上段を180kΩから39kΩに変更し、疑似マイナス電圧を作っている抵抗を82Ωに変更してみた。結果、仮想GNDから+Bの電圧が188Vとなった。これ以上はチョッと望めなさそうな感じです。

最も気になっているのが、今回、ヒータ電源の方にもセメント抵抗を入れて電圧の変動を見た時の事。H12-0429 は 0-6.3-12.6/1A の端子を持っている。この 6.3V 端子にセメント抵抗で計7.8Ωを入れたのだが、その時の電圧が、4.8V位になっていた。1A取れることになっているから、余裕あるかと思っていたが、結構電圧降下が大きい。球には優しいが、これだと特性が全然違う物になってしまいそうで心配である。

【追記 2012.08.26】
完全に私のチョンボでした。セメント抵抗と電源トランスの端子を両端ワニ口クリップの線で摘んでいたのが原因です。太い(φ6mm)線で直接半田付けしたところ、6.2VACになりました。試しとはいえ、しっかりと半田付けしてやらないとダメだということをこれでもかと言うほど、思い知らされました orz

RIMG0367.jpg


電圧は当初予定していた 195V より低くなっているが、誤差範囲としましょう。ヒータ電圧も…誤差範囲……。これで電源部は一応完成したとして次に進みましょう。

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