三段全段差動プッシュプルアンプ_6P43P-E(その3)

部品を買い集めたので、先ずは電源部の部品配置を現物を確認しながら書き込んでみました。

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ケースに入れた時の配置を考慮して片側8Pのラグ板を2枚使用としました。上側のラグ板で出力段の電源までを構成していて、下側のラグ板でドライバ段の電源と負電源を構成しています。初段の電源は入りきらなかったので初段の回路側と同じラグ板に乗せる計画です。FETはかなりの熱を持つ見込みなのでシャーシに貼り付けます。

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上段部を組み立てて、154mA相当の電流を流す想定で470Ω/20Wのセメント抵抗を3つ直列に繋いでその時のFETのドレイン側を測定してみたところ、234Vとなりました。電源トランスのヒーター端子にも同様に3.9Ω/20Wの抵抗を2回路分付けています(片チャネル = 0.625A x2 + 0.4A)。220Vを出力するとして、本番ではFETで (234 - 220) x 0.154 = 2.156Wを消費することになります。

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一気にもう片側の電源部を組み立てました。実験中に立てておくためにスペーサの先に貼付け式ボスを付けてこけにくくしています。


ここまで来たら、一気に作成です。
初段部の回路と電源回路を1つのラグ板に乗せることにしました。

3diffpp_6p43pe_ei_08.png 3diffpp_6p43pe_ei_09.jpg

ドライバ段、出力段の回路は真空管という事もあり、アルミ板の端切れを使って仮組をしました。段間のコンデンサですが、少し大きな物を使用しているので、実際にケースに取り付けた時を想定して、Lラグの端子から上側に向けて取り付けています(使用時は下向き)。こうする事によって斜め方向ではなく垂直方向しか力(自重)がかからなくできる目論見です。

3diffpp_6p43pe_ei_10.png 3diffpp_6p43pe_ei_11.jpg

電源トランス、出力トランス、入力RCAコネクタ、ボリューム、ダミーロード(セメント抵抗8Ω)を接続して電源ONで各箇所の電圧チェックを行い、おおよそ設計の通りに成っていました。NFBも位相を考えて配線したのが功を奏したのか発振することなくスムーズに作業が行えました。ここまで来ると若干心に余裕ができてきて、NFBの量を調整少し調整箇所をいじってみましたが、ぺるけさんが言われている通り、PMF-25Pでは周波数特性が120kHz以上から暴れてくるようになりました。

3diffpp_6p43pe_ei_12.jpg 3diffpp_6p43pe_ei_13.jpg

このバラック状態では細かく特性を取りながら調整してもあまり意味がないと思い、次はケース加工に移ろうと思います。
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